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访问：4850次 日志：1篇 评论：1个 留言：1个 建站时间：2009-2-1 15:58:23

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标题：大气低温等离子体抛光技术原理 浏览：582  评论：1 大气低温等离子体抛光就是通过在常温常压下的等离子体化学反应来实现工件材料高效去除的一种新的超精密超光滑加工方法。大气低温等离子体采用气体辉光放电的方式产生。工作气体通常包含等离子体气体和反应气体。其中，等离子体气体是容易被大量激发的气体，它通常不参与化学反应，主要负责维持有效的放电状态和形成大面积高密度的等离子体放电，为反应气体的进一步激发提供活性氛围。而反应气体则是实现指定的化学反应的活性粒子的主要载体，负责为材料去处过程提供活性反应原子，其与等离子体气体充分混合后以恒定的比例通入等离子体发生系统中，在等离子体氛围下被激发，生成活性反应原子，活性反应原子与工件表面原子接触后发生化学反应，实现原子级的材料去除，反应产物通常为强挥发性的气体，因此不会对表面造成新的污染。因此大气低温等离子体抛光方法从本质上讲是属于化学性的材料去除技术。它不但避免了传统的机械加工方法所固有的接触施力的过程，也不存在常用的真空等离子体辅助性加工方法的离子溅射效应，还解决了常规的化学抛光存在的表面污染、难以定量控制等问题，是一种全新的、极具发展前景的超精密无损抛光技术。以单晶硅的加工为例，选CF4气体作为反应气体，其化学反应原理如下： 本文引用地址：http://www.sciencenet.cn/m/user_content.aspx?id=228259 总数：1 总页数：1 当前页：1 93[1]4: